top of page
企業立地は桑名市で。
株式会社デンソーと、半導体ファウンドリー大手のユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション(UMC)の日本拠点であり、桑名市に立地するユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社(USJC)は、令和5年5月10日に300mmウェーハでの絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT)の出荷を開始しました。
世界的なカーボンニュートラルに向けた取り組みにおいて、電動車の開発・普及が加速する中、電動車は航続距離や電費のさらなる向上が重要な課題となっています。
このような背景から、電動車のモーターを駆動・制御するインバーターに採用されているパワー半導体には、発熱による電力損失の低減と小型化が求められています。
そのような中で、従来のIGBT(IGBTとダイオードを別チップで接続したもの)と比べ、エネルギー損失を最大20%削減した小型で低損失な次世代IGBTを開発しました。
デンソーとUSJCが共同で新設した製造ラインで生産することに伴い、デンソーの技術者の方々も常駐していただいています。
桑名市にあるUSJC三重工場で行われた出荷式典には、一見 勝之 三重県知事、有馬 浩二 デンソー 代表取締役社長、Jason Wang UMC Co-President、 S F Tzou USJC代表取締役会長、河野 通有USJC代表取締役社長、桑名市長などが出席しました。
関連リンク
・デンソーとUSJC、車載パワー半導体の量産出荷を開始
・デンソーとUSJC、車載パワー半導体の生産において協業
bottom of page